Новости

  • Общие новости
  • Заседания кафедры
  • Объявления о семинарах
  • 02.12.17
    Категория: Общие новости
    Разместил: grimmxxx

     

        Еще немного и начнется прием документов в вузы – самое непростое время для абитуриентов и их родителей. Широта выбора и обилие вузов и специальностей вводит их в ступор.

    10.11.17
    Категория: Общие новости
    Разместил: grimmxxx

    В данный  момент некоторые разделы сайта могут быть недоступны. Приносим извинения за временные неудобства.

    CMS - 1.12 - Pohnpei
     

    Физические основы электроники

    Аннотация к дисциплине ФОЭ (.DOC)

    Аннотация к дисциплине Оптоэлектроника (.DOC)

    Вопросы к зачету по ФОЭ

    1. Электроны в атоме. Основы зонной теории твердого тела. Энергетические диаграммы различных веществ.
    2. Гипотеза М.Планка. Постулаты Н. Бора. Принцип неопределенности В.Гейзенберга. Гипотеза де Бройля. Принцип запрета Паули.
    3. Свойства электрона.
    4. Работа выхода электронов.
    5. Виды электронной эмиссии.
    6. Электропроводность полупроводников. Внутренняя структура полупроводников.
    7. Собственная проводимость полупроводников. Графики распеделения Ферми-Дирака для беспримесного полупроводника при различных температурах.
    8. Примесная проводимость полупроводников.
    9. Основные и неосновные носители. Понятия: генерация, рекомбинация, время жизни, диффузионная длина.
    10. Структура и зонная диаграмма полупроводника с акцепторной примесью.
    11. Структура и зонная диаграмма полупроводника с донорной примесью.
    Электронно-дырочный  переход (симметричный, несимметричный, плавный, ступенчатый).
    12. Физические процессы в электронно-дырочном  переходе, находящегося в равновесном состоянии.
    13. Электронно-дырочный  переход. Контактная разность потенциалов.
    Электронно-дырочный переход при прямом включении.
    14.Обратное включение р-n-перехода и распределение потенциала в р-n-переходе.
    15. Вольтамперная характеристика p-n-перехода.
    16. Виды пробоя p-n-перехода.  Вольтамперные характеристики при пробое р-n-перехода.
    17. Емкостные свойства р-n-перехода.  Вольтфарадная характеристика р-n-перехода.
    18. Люминесценция полупроводников.
    19. Контакт металл-полупроводник.
    20. Туннельный эффект.
    21. Гетеропереходы.
    22. Структура металл-диэлектрик-полупроводник.
    23. Типовые технологические процессы при изготовлении полупроводниковых приборов.
    24. Принцип устройства инжекционного лазера.
    25. Оптические среды и эффекты в них.
    26. Резисторы.
    27. Конденсаторы.
    28. Диоды. Виды диодов.
     
    . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .